晶体管手册

时间:2024-03-21 19:46:50编辑:奇闻君

5929数字代表啥意思

s925代表的戒指属性是92.5%的银戒指 11 是号码 戒指指圈大小的标准,称为手寸。现代的手寸是以号来表示的,东方人的手寸范围在8号~28号之间。在按手寸选购戒指时,夏天以戴上戒指后稍紧为宜,冬天则以戴上后可左右转但又不脱落为宜。在戴戒指时,要是觉得太松,可在戒指的指轮内绕上几圈红线或丝线,要是觉得太紧,可以在手指上涂点肥皂液,这样就能顺利地戴上脱下了。 注:1.可以用线绳绕手指一圈,得出周长,在上表中找到相应的戒指(港码)号数。因为手指骨节处略大于手指戴戒指的地方,所以线不要绕的太紧。2.一般戒指戴于食指、中指或无名指上,大部分女生佩带的戒指号数为10-15号,其中12号、13号的较多;大部分男生佩带的戒指号数为17-22号,其中18-20号的较多


晶体管与MOS管的输入电阻有什么不同

首先您提问的概念不很准确:晶体管中就包含MOS管。晶体管分类:按材料分有锗管硅管砷化镓管,按极性分有PNP管和NPN管,按频率分有高频管和低频管,按功率分有大功率管和小功率管,按用途分就太多了(振荡管、变频管、中放管、功放管),按载流子种类分双极型管和场效应管,场效应管又分结型和MOS型。
您所说的晶体管应该是双极型的,它的输入电阻又和采用的电路有关,共基电路只有几十Ω数量级,共发电路有几百到几千Ω数量级,共集电路有几十到几百KΩ数量级。结型场效应管(JFET)的输入电阻至少几百KΩ数量级,MOS管的输入电阻应该是10MΩ数量级以上,但有的产品为了防止静电击穿,在输入端并联了一个二极管(反向接法),于是它的输入电阻就和结型场效应管相同了。


怎么进行晶体管直流参数的测试

  一、测试目的:
  1.熟悉晶体二极管、三极管的主要参数。
  2.学习使用万用表判断三级管极性和管脚的方法。
  二、测试仪器
  XJ-4810型晶体管特性图示仪、万用表。
  三、测试步骤
  1、稳压二极管特性曲线测量
  2、三极管的判断
  利用万用表先判断三极管的导电类型和管脚(NPN型或PNP型,管脚e、b、c);
  三极管是由两个PN结(发射结、集电结)组成的器件,一般具有3个引脚(某些型号三极管(例如3DG56型)具有四只引脚,其中一个脚接管壳,供接地屏蔽用)。使用万用表可以判别三极管的极性(NPN或PNP型)、管脚(e、b、c)和估计三极管的性能好坏。
  (1)区分三极管的基极b:
  测量方法:用万用表的红、黑表笔分别接触三极管的任意两个管脚,测量一次后,如果电阻值无穷大(指针表的表针不动;数字表只显示“1”),则将红、黑表笔交换,再测这两个管脚一次。如果两次测得的电阻值都是无穷大,说明被测的两个管脚是集电极c和发射极e,剩下的一个则是基极b。如果在两次测量中,有一次的阻值不是无穷大,则换一个管脚再测,直到找出正、反向电阻都大的两个管脚为止。(如果在三个管脚中找不出正、反向电阻都大的两个管脚,说明三极管已经损坏,至少有一个PN结已经击穿短路。)
  (2)区分三极管的极性(NPN、PNP):
  测出三极管的基极b后,通过再次测量来区分三极管是NPN型还是PNP型。将万用表的正表笔(指针表的黑表笔;数字表的红表笔)接触已知的基极,用另一支表笔分别接触另外两个管脚,如果另外两个管脚都导通,说明被测管是NPN型,否则是PNP型。
  (3)区分发射极和集电极:
  三极管的发射结、集电结对称于基极,所以仅仅通过测量“PN结单向导电性”难以区分出哪一个是发射极,哪一个是集电极。但发射结和集电结的结构有所不同。制造三极管时,发射区面积(体积)做得小,掺杂浓度高,便于发射载流子;而集电区面积大,掺杂浓度低,便于收集载流子,所以c、e正确连接电源时,三极管具有较大的电流放大的能力,用万用表Ω档测量,c、e之间的电阻小;当c、e与电源连接反了时,电流放大能力很差,c、e之间的电阻很大。
  使用数字万用表来区分集电极和发射极十分方便。仍然需要先测出被测管的极性和基极。
  然后将数字表旋钮对准HFE档,将被测管按假定的e、c插入数字表的“三极管测量插座”中,其中基极和三极管的极性(NPN或PNP)必须正确,观察并记录数字显示的被测管HFE值;交换假定的c、e之后再测一次。两次测量中数值大的一次为正确插入。由此判断出被测管的e和c。


三极管的主要参数

三极管的主要参数:特征频率:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。fT称作增益带宽积,即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数,便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高,放大倍数会下降.fT也可以定义为β=1时的频率。电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。hFE:电流放大倍数。VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。PCM:最大允许耗散功率。封装形式:指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现。扩展资料:电流放大的结构及原理:1、电路结构电流放大器电路拓扑结构可以为电压、电流在第一象限的Buck 电路,也可以采用电流单向流动、电压双象限的H 桥式电路,也可以采用四象限H 桥式电路,其拓扑电路结构如图2(a)~图2(c)所示。这三种电路结构针对不同应用场合灵活选取。2、基本原理电流放大器采用输出电流闭环控制,影响电流输出响应速度的主要因素是阻感性负载的时间常数Te= L/RL,当此时间常数较大时,输出电流响应难以提高。因此,提高电流放大器响应速度的主要措施就是减小被控对象的等效时间常数。参考资料来源:百度百科——三极管参考资料来源:百度百科——电流放大器

晶体管的主要参数有哪些

晶体管主要参数,晶体管主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。晶体管主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。  ※ 电流放大系数  电流放大系数也称电流放大倍数,用来表示晶体管放大能力。  根据晶体管工作状态的不同,电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。  1、直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数,是指在静态无变化信号输入时,晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值,一般用hFE或β表示。  2、交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数,是指在交流状态下,晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值,一般用hfe或β表示。  hFE或β既有区别又关系密切,两个参数值在低频时较接近,在高频时有一些差异。  耗散功率  耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。  耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。  通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管,将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。  频率特性  晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围,则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。  晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。  1、特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时,其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。  通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管,将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管,将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。  2、最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。  通常,高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα,而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。  集电极最大电流ICM  集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时,晶体管的β值等参数将发生明显变化,影响其正常工作,甚至还会损坏。  最大反向电压  最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。  1、集电极——集电极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时,其集电极与发射极之间的最大允许反向电压,一般用VCEO或BVCEO表示。  2、基极—— 基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时,其集电极与基极之间的最大允许反向电压,用VCBO或BVCBO表示。  3、发射极——发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时,其发射极与基极与之间的最大允许反向电压,用VEBO或BVEBO表示。  反向电流  晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。  1.集电极——基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流,是指当晶体管的发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好。  2.集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时,其集电极与发射极之间的反向漏电电流,也称穿透电流。此电流值越小,说明晶体管的性能越好。


请教一下13003这个三极管的参数

  一、13003参数:芯片面积:1.63×1.63(特制芯片);额定电流:1.5 A(加大电流品种);饱和压降低、热性能好;反向击穿电压高、漏电流小;N型硅单晶三重扩散平面工艺制作。  二、三极管的简单介绍:  三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

请问三极管上面写的spj和13003D是什么意思啊?

此三极管的型号是 13003:700V,3A,40W
其它的是厂家、生产序列号等,就不必考究。

MJE1300- 兄弟系列:
13001:600V,0.2A,0.75W
13002:600V,0.75A,
13003:700V,2A5-3A,40W
13004:600V,4A,75W
13005:700V,4A,75W
13006:600V,8A,80W
13007:700V,8A,80W
13008:600V,12A,100W
13009:700V,12A,100W

字面向自己,脚向下TO-220(大个):B C E
TO-92(小个)E C B


功放三极管1711能通用代替的型号

你好,
三极管,其实在英文里面的说法是千差万别的,三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译,这是和电子三极管最早出现有关系的,所以先入为主,也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西,实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的,否则就麻烦大咯,严谨地说,在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇!
电子三极管


请问有关于电子元器件学习的书籍吗?

一般的书是选一些型号介绍的,不过也有比较全的,比如,对常用的二极管,三极管,电阻,电容,MOS管,开关件等都有介绍,识别,测量等的。

电子元器件是电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分,其本身常由若干零件构成,可以在同类产品中通用;常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件,如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称。常见的有二极管等。
电子元器件包括:电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶(带)制品、电子化学材料及部品等。
电子元器件在质量方面国际上面有中国的CQC认证,美国的UL和CUL认证,德国的VDE和TUV以及欧盟的CE等国内外认证,来保证元器件的合格。


电子元器件作用的书,有什么书有介绍?

图表细说电子元器件(超值版)
作者:胡斌
出版:电子工业出版社2 出版日期:2008年06月
本书是《图表细说电子元器件》一书的超值版,以精细的排版方式展现全部内容。本书讲解常用的11大类数十种电子元器件,介绍元器件的识别方法、电路符号识图信息、主要特性、重要参数、典型应用电路、检测方法、修配技术、更换操作、调整技术等相关知识。以电子元器件为轴心,详细讲述电路识图方法和修理技术,使电子技术初学者轻松步入电子天地。
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对了的话给点分吧~


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