朱学勤的介绍
朱学勤(1823—1875)，字修伯，清朝官吏、藏书家，清仁和(今杭州余杭区)塘栖镇人。咸丰三年(1853)进士，选为翰林院庶吉士，改户部主事，入军机处，历任鸿胪寺少卿、大理寺卿。一生好学，过目不忘，博通古典，在清廷综核机务17年，所领军机班与同治一朝军事相始终。曾国藩以“学足论古，才足干时”称之。与丁宝桢、邵懿辰等撰文，对农民起义力主镇压。第二次鸦片战争中，英军侵犯天津，受诏赴通州。咸丰十年(1860)九月十八日，计擒制造亚罗号事件，挑起战争的英外交官巴夏礼。太平天国运动被镇压后，三次上书备陈“外侮之亟、国用之殚、人才之消长”。力谏修复圆明园。以为官“惠直”著称，时人比作汉朝贾谊。
朱勤的介绍
朱勤，浙江工商大学经济学院国际经济与贸易系副教授，经济学博士，硕士生导师。浙江省151人才工程第三层次培养人员，浙江省经济学会理事，浙江省金融工程学会理事，教育部省属高校人文社会科学重点研究基地浙江工商大学现代商贸研究中心“国际贸易研究所”副所长。主持完成了浙江省哲学社会科学规划重点课题、浙江省科技计划重点项目、浙江省自然科学基金等多项省部级课题。曾获得浙江省科学技术奖三等奖1次，浙江省高等学校科研成果奖一等奖2次。朱勤，男，1948年11月出生，安徽省肖县人。石家庄陆军参计学院本科毕业。中国摄影家协会会员，安徽省高校摄影家协会副会长，蚌埠市摄影家协会副主席。朱勤，男，副主任中医师，兼职副教授，现任浙江省新华医院、浙江中医药大学附属第二医院（第二临床医学院）副院长。参与省级中医药课题研究3项，发表省级论文8篇。
朱勤生的完成/在研主要项目
1、作为课题负责人主持的科研项目（合计4项）： （1）国家973项目“信息功能材料相关基础问题研究”子课题“低维结构材料物理特性研究”（2001-2005年）；（2）国家自然科学基金面上项目“高探测率垂直入射GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器”（1997-1999年）；（3）北京市自然科学基金项目“新型垂直入射GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研制”（1996-1999年）；（4）中科院半导体所所长基金项目“垂直入射GaAs/AlGaAs红外吸收的物理特性的研究”（1997-1999年）。2、作为学术骨干参与的科研项目（合计11项）（1） 国家863重大专项“高效半导体照明关键材料技术研发”课题1“大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术”子课题。（2011.1～2013.12）（2） 国家863项目“生长温度周期调制MOCVD法制备ZnO材料及发光器件研究”（2007.12～2010.12）（3） 国家863项目”硅基氮化镓厚膜衬底材料制备研究“（2007.12～2010.12）（4） 国家973项目”全组分可调III族氮化物半导体光电功能材料及其器件应用”，课题5“自支撑AlN衬底材料及AlN/蓝宝石复合衬底材料的制备”子课题（2011.8～2015.8）（5） 国家973项目“半导体光电信息功能材料的基础研究”子课题:“大失配异质体系材料衬底研究”（2006.9～2011.9）（6） 国家自然科学基金重大研究计划“面向能源的光电转换材料”培育项目“利用玻璃衬底制备新型InGaN 基量子点全光谱太阳电池材料研究”（2013.1-2015.12）（7） 国家自然科学基金面上项目“生长温度周期调制的MOCVD法制备p型ZnO薄膜研究”（2008.1～2010.12）（8） 国家自然基金面上项目“大尺寸GaN厚膜衬底材料自剥离制备研究”（2011.1~2013.12）（9） 国家自然基金面上项目“硅基无应变InGa(Al)N/InGaAlN量子阱的研究”（2004.1～2006.12）（10） 中国科学院科研装备研制项目“氮化镓专用复合型MOCVD-HVPE生长设备”（2005.11～2007.11）（11） 院地合作技术咨询项目“协助杭州钱宏光电科技有限公司组建半导体材料生产线技术咨询项目”（2007.11～2010.11）
朱勤生的介绍
朱勤生，研究员，博士生导师。1951年5月生。1978年毕业于南京工学院（东南大学），后考入南京大学物理系攻读硕士研究生，后留校任教。经选拔，于1983年赴日本名古屋大学学习，1986年获硕士学位，1989年获博士学位。在日本期间，主要从事红光InGaAsP/GaAs材料光电特性和蓝紫光GaN材料的物理特性研究。1991年回国，并一直在中国科学院半导体研究所长期从事宽禁带半导体低维结构材料与器件物理研究工作。1995年至2000年曾任表面物理国家重点实验室（半导体所区）实验室主任。2002年作为学术带头人加入半导体材料科学重点实验室MOCVD组（现更名为超宽禁带半导体材料研究组）。2011年5月退休后返聘为学术顾问。2014年4月26日下午5时30分许在家中身亡。
