IR2110使用MOS管 驱动半桥式驱动？跪求！
Hin与Lin是互为反相的逻辑信号，最高电平=逻辑电路的电源值 VDD（9脚）；当Hin为高电平时输出端Ho也为高电平，反之，Ho为低电平；可以连接到单片机上，Hin与Lin要同时连接，记住他们是互为反相的逻辑信号。com接地，高端输出搭配了自举电路，可以驱动高端MOS。需带一定负载才能给自举电容充电。记得设置死区。IR2110采用HVIC 和闩锁抗干扰CMOS制造工艺，DIP14脚封装。具有独立的低端和高端输入通道；悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V，dv/dt=±50V/ns，15V 下静态功耗仅116mW；输出的电源端（脚3,即功率器件的栅极驱动电压）电压范围10～20V；逻辑电源电压范围（脚9）5～15V，可方便地与TTL，CMOS 电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V 的偏移量；工作频率高，可达500kHz；开通、关断延迟小，分别为120ns 和94ns。
求如何使用IR2110驱动单个mosfet管
IR2110是一款高低侧驱动的MOSFET和IGBT驱动器。使用IR2110驱动单个MOSFET管的基本步骤如下：连接电源：将VCC引脚连接到5V或12V的电源，将COM引脚连接到地。连接MOSFET管：将MOSFET的源极连接到电源地，将漏极连接到电路的负载，将栅极连接到IR2110的HO或LO引脚中的一个，另一个引脚需要连接到电源地。调整电路参数：根据电路需求，可以通过调整IR2110的RC延迟时间、占空比等参数来优化电路性能。保护电路：为了保护MOSFET和IR2110，可以在电路中加入过流、过压、过温等保护电路。需要注意的是，单个MOSFET管的驱动电路可能不够复杂，需要根据具体的电路需求和应用场景进行设计，确保电路的稳定性和可靠性。同时，应该遵循安全规范和操作规程，注意防止触电和短路等安全问题。
求使用IR2110驱动单个mos管的电路
我最近也在用IR2110，做一个交流逆变电源。 IR2110的高端驱动电平（6脚与5脚）相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。
如果是驱动单个MOSFET的话用低端驱动，即用1脚和2脚，换作LIN给PWM信号。如果实在要用7脚与5脚的话，必须把5脚强制接COM，即接到15V的地。否则7脚对COM一直为高。
