什么是NAND芯片？
同学，你是学微电子的么？要了解NAND芯片就要了解NAND和NOR储存芯片内部的结构单元，了解浮栅原理，才能对它有深入的了解。楼上提的都是这两种芯片的特点，可能还没达到你的要求，我来补充下吧。如图所示， Nand比Nor晚开发出来，在基本单元结构上，Nand 是用的晶闸管(含浮栅）源极漏极首尾串联的形式，比如32个晶闸管串联称为一个块Block，擦除和编程必须以这个最小单元操作。优点你可以从图上看出来，储存密度大大提升（虽然晶闸管数量并没少,布线空间节省了)。缺点也很明显，一个晶闸管坏了，一个块全坏，所以用Nand的话软件上要做很多纠错，比如ECC.由于每个晶闸管没有单独的Bit line,所以读速度大受影响，随机读速度只能达到25us(微秒级).但擦除比较快。 而Nor呢，每个晶闸管(含浮栅）都连接Bit Line和Word Line,所以可以做到随机访问，随机读速度可以达到60~70ns(纳秒级).但Nor的缺点是擦除很慢，原因就是它不能一个块一个块擦。 基本结构上就是这个差别，也就是最基本的差别。衍生出来当然又更多不同，比如Nand接口没有地址线，Nor接口含完整地址线，兼容SRAM操作。Nand通常用来储存资料而不是放程序文件，因为程序文件大量用到随机存取，而这个是Nand不擅长的。 我这里有一份Nand的资料，是toshiba的资料，你如果需要更详细的，在里面能找到答案，留下邮箱我可以发给你~~
DRAM与NAND的区别
DRAM与NAND的区别是：
1、DRAM（DynamicRandomAccessMemory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。（关机就会丢失数据）。
2、NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND正被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。
